Un transistor in cui emettitore e collezionista barriere sono formate da pn giunzioni tra regioni di semiconduttore di tipo conducibilità opposto. Questi incroci sono separati da una distanza considerevolmente di meno rispetto a un periodo di diffusione del vettore di minoranza, così che i vettori di minoranza iniettati allo svincolo emettitore non ricombinare prima di raggiungere la barriera del collezionista e pertanto essere efficace nel modulare l'impedenza del collezionista-barriera. Junction transistor sono ampiamente utilizzati come dispositivi discreti e nei circuiti integrati. La discreta dispositivi si trovano nelle applicazioni ad alta potenza e ad alta frequenza. Junction gamma transistor di potenza nominale da pochi milliwatt per circa 300 W, nella frequenza caratteristica da 0,5 a 2000 MHz e nel guadagno da 10 a 50 dB. Di silicio è il materiale semiconduttore più ampiamente usato, anche se germanio è ancora usato per alcune applicazioni. Junction transistor sono applicabili a qualsiasi amplificazione elettronica, rilevamento o problema commutazione non necessita di operazione sopra i 200 ° C (392 ° F), 700 V o 2000 MHz. non tutti questi limiti possono essere realizzati in un unico dispositivo, tuttavia. Junction transistor sono classificati dal numero e ordine delle loro regioni di tipo conducibilità differenti, dal metodo di fabbricare e struttura e a volte con il principio di funzionamento. Transistor più moderni sono fabbricati con la tecnica di doppio-diffusione di planar self-masked a silicio. Tecnica di la lega e la tecnica di giunzione coltivate sono principalmente di importanza storica. Per una descrizione generale e la definizione dei termini usati qui e una descrizione del meccanismo di funzionamento