L'emergere di elettronici portatili, quali telefoni cellulari, lettori MP3, fotocamere digitali e netbook, negli ultimi 20 anni ha portato alla domanda alle stelle di memoria volatile (mantenendo informazioni dopo la rimozione di potenza) memoria flash a causa della sua piccola cella dimensioni e bassi consumi. , Tuttavia, il ridimensionamento della memoria flash oltre 15-nanometri (dimensione caratteristica) tecnologia è altamente problematico a causa del limite fondamentale della struttura cellulare. Cella l'unità di memoria flash è molto simile al convenzionale metallo-ossido-semiconduttore campo - effetto transistor (MOSFET), fatta eccezione per il floating gate supplementare per immagazzinare cariche elettriche. Non è chiaro se la tecnologia MOSFET può essere scalata oltre la lunghezza del canale di 15 nm, poiché il vincolo di fisico di quantum-meccanico-tunneling corrente possa dominare a tali lunghezze di canale corto.

Nel frattempo, c'è stata molto attiva ricerca di memorie non volatili alternative per sostituire flash. Tra i più maturi sono ferroelectric random access memory (FRAM), magnetoresistivi random access memory (MRAM) e memoria ad accesso casuale a cambiamento di fase (PCRAM). MOSFET anche se la tecnologia non è necessaria memorizzare i dati in queste tecnologie, aggiunta che nelle celle unità è inevitabile nella maggior parte dei casi per assicurare la corretta lettura e le operazioni di scrittura nella matrice di memoria, dove il disturbo dalle celle vicine è una seria preoccupazione. Dunque, la scalabilità di queste tecnologie di là di flash corrente memoria è plausibile. Ci sarà rivedere questo punto più avanti nell'articolo. In più, perché loro unità (fatte di un MOSFET più un elemento di memoria) le cellule sono più grandi di quelli di flash, il costo sarebbe superiore. Di conseguenza, è improbabile che a competere direttamente con memoria flash sul mercato mainstream. Infatti, le attuali applicazioni di FRAM, MRAM e PCRAM sono limitate a settori di nicchia, quali i sistemi aerospaziali.